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RH6R025BHTB1  与  BSZ900N15NS3 G  区别

型号 RH6R025BHTB1 BSZ900N15NS3 G
唯样编号 A-RH6R025BHTB1 A-BSZ900N15NS3 G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 150V 25A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@25A,10V 74mΩ
上升时间 - 4ns
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 59W 38W
Qg-栅极电荷 - 7nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 6S
典型关闭延迟时间 - 8ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT8 -
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 25A 13A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 3.3mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 8V,10V
下降时间 - 3ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 510pF @ 75V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7nC @ 10V
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥10.0366
100+ :  ¥5.0183
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6R025BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥10.0366 

阶梯数 价格
1: ¥10.0366
100: ¥5.0183
100 当前型号
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